Toshiba lanzará su memoria Flash NAND de 16-Gb con tecnología de 56 nm
Toshiba desembarca con el chip de mayor densidad de la industria, fabricado con la más moderna tecnología de proceso y desarrollado en conjunto con SanDisk
Toshiba Corporation reforzando su liderazgo en el desarrollo y fabricación de memoria flash NAND poderosa y de alta densidad, anunció la introducción de memoria flash NAND de 16Gb y 8Gb, fabricada con los procesos tecnológicos más modernos de 56 nanómetros y desarrollada en conjunto con la corporación SanDisk de Milpitas, California, Estados Unidos. El de 16Gb es el chip de memoria flash NAND de más alta densidad creado hasta ahora.
La adopción de tecnología MLC y una eficiencia de programación mejorada permiten a los nuevos chips ofrecer mayor densidad y desempeño de escritura.
La aplicación del proceso tecnológico de 56nm permite los 16Gb, el doble de densidad por chip alcanzada con la tecnología de 8Gb y 70nm, logrando así la mayor densidad en un chip de memoria flash NAND.
El desempeño de escritura de 10 megabytes por segundo, es el doble que el de los productos MLC actuales de Toshiba.
Al combinar procesos avanzados con tecnología MLC, y a través de continuos avances en la eficiencia de producción, Toshiba pretende mejorar la competitividad de costo y cumplir con las necesidades del mercado de memorias flash NAND.
Toshiba desembarca con el chip de mayor densidad de la industria, fabricado con la más moderna tecnología de proceso y desarrollado en conjunto con SanDiskToshiba Corporation reforzando su liderazgo en el desarrollo y fabricación de memoria flash NAND poderosa y de alta densidad, anunció la introducción de memoria flash NAND de 16Gb y 8Gb, fabricada con los procesos tecnológicos más modernos de 56 nanómetros y desarrollada en conjunto con la corporación SanDisk de Milpitas, California, Estados Unidos. El de 16Gb es el chip de memoria flash NAND de más alta densidad creado hasta ahora.
La adopción de tecnología MLC y una eficiencia de programación mejorada permiten a los nuevos chips ofrecer mayor densidad y desempeño de escritura.
La aplicación del proceso tecnológico de 56nm permite los 16Gb, el doble de densidad por chip alcanzada con la tecnología de 8Gb y 70nm, logrando así la mayor densidad en un chip de memoria flash NAND.
El desempeño de escritura de 10 megabytes por segundo, es el doble que el de los productos MLC actuales de Toshiba.
Al combinar procesos avanzados con tecnología MLC, y a través de continuos avances en la eficiencia de producción, Toshiba pretende mejorar la competitividad de costo y cumplir con las necesidades del mercado de memorias flash NAND.
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